DIODOS Y TRANSISTORES. TEORIA GENERAL.
FONTAINE, G.
DIODOS Y TRANSISTORES. TEORIA GENERAL. - 2 , ESPAÑA - MADRID, ESPAÑA PARANINFO 1967 - 468 15 x 22 cm - BIBLIOTECA TECNICA PHILIPS .
- Gráficos. - Diagramas.
PRIMERA PARTE: Fenómenos físicos en los semiconductores. I. Generalidades. II. Definición. SEGUNDA PARTE: Los diodos III. El diodo de unión PN. IV. Diodos de puntas. V. Análisis de la característica. VI. Rotura de la unión. VII. Influencia de la temperatura. VIII. Comparación entre los diodos de vacío y los de germanio. IX. Rectificación. X. Resultados que se obtienen con un diodo de germanio y con uno de vacío en un circuito detector. XI. Comportamiento en radiofrecuencia. TERCERA PARTE: Los transistores. XII. Generalidades. XIII. Transistores de unión. XIV. Tecnología del transistor. XV. Comparación entre las válvulas y los transistores. XVI. Funcionamiento del transistor. XVII. Transistores PNP XVIII. Transistor NPN XIX. Estudio de las familias de curvas características de un transistor. XX. Parámetros de un transistor. XXI. Pendiente de un transistor. XXII. Mando de un transistor. XXIII. Polarización de un transistor. XXIV. Estabilidad térmica. XXV. Recta de carga. XXVI. Transistor en radiofrecuencia. XXVII. El transistor elemento pasivo. XXIX. Estudio de las variaciones de los diferentes parámetros de radiofrecuencia de un transistor en función de la corriente de colector. XXX. Posibilidades de montaje de un transistor. XXXI. Montaje emisor común. XXXII. Montaje en base común. XXXIII. Montaje en colector común. XXXIV. Comparación entre los tres montajes. - Apéndice.
CIENCIAS
DIODOS
TRANSISTORES
621.382.2/.3 F 678
DIODOS Y TRANSISTORES. TEORIA GENERAL. - 2 , ESPAÑA - MADRID, ESPAÑA PARANINFO 1967 - 468 15 x 22 cm - BIBLIOTECA TECNICA PHILIPS .
- Gráficos. - Diagramas.
PRIMERA PARTE: Fenómenos físicos en los semiconductores. I. Generalidades. II. Definición. SEGUNDA PARTE: Los diodos III. El diodo de unión PN. IV. Diodos de puntas. V. Análisis de la característica. VI. Rotura de la unión. VII. Influencia de la temperatura. VIII. Comparación entre los diodos de vacío y los de germanio. IX. Rectificación. X. Resultados que se obtienen con un diodo de germanio y con uno de vacío en un circuito detector. XI. Comportamiento en radiofrecuencia. TERCERA PARTE: Los transistores. XII. Generalidades. XIII. Transistores de unión. XIV. Tecnología del transistor. XV. Comparación entre las válvulas y los transistores. XVI. Funcionamiento del transistor. XVII. Transistores PNP XVIII. Transistor NPN XIX. Estudio de las familias de curvas características de un transistor. XX. Parámetros de un transistor. XXI. Pendiente de un transistor. XXII. Mando de un transistor. XXIII. Polarización de un transistor. XXIV. Estabilidad térmica. XXV. Recta de carga. XXVI. Transistor en radiofrecuencia. XXVII. El transistor elemento pasivo. XXIX. Estudio de las variaciones de los diferentes parámetros de radiofrecuencia de un transistor en función de la corriente de colector. XXX. Posibilidades de montaje de un transistor. XXXI. Montaje emisor común. XXXII. Montaje en base común. XXXIII. Montaje en colector común. XXXIV. Comparación entre los tres montajes. - Apéndice.
CIENCIAS
DIODOS
TRANSISTORES
621.382.2/.3 F 678